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　　制造领域，六氟化钨主要作为关键钨源，广泛应用于化学气相沉积（CVD）工艺。依托钨金属所具有的优异导电性、热稳定性和高深宽比孔洞填充能力，六氟化钨能够在硅晶圆表面沉积形成致密、均匀的钨薄膜。该薄膜用于构建芯片内部电路互联结构，承担电信号传输功能，成为高集成度芯片制造中不可或缺的关键材料。从全球产能布局来看，据智研咨询统计，目前全球六氟化钨总产能约为10350吨，其中中国大陆地区产能达5130吨，占全球总产能比重超过一半，显示出中国在全球供应链中的重要地位。